飞利浦半导体
产品speci fi cation
TOPFET高边开关
SMD版
静态特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25°C ，除非另有说明。
符号
V
BG
V
BL
-V
LG
-V
LG
参数
钳位电压
电池地面
电池装入
负负载到地
负负载电压
1
电源电压
V
BG
工作范围
2
电流
静态电流
3
断态电流负载
4
工作电流
5
6
PIP3213-R
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 10毫安
I
L
= 15 A;牛逼
p
= 300
s
电池地面
分钟。
50
50
18
20
典型值。
55
55
23
25
马克斯。
65
65
28
30
单位
V
V
V
V
5.5
9 V
≤
V
BG
≤
16 V
V
LG
= 0 V
T
mb
= 25C
V
BL
= V
BG
T
mb
= 25C
I
L
= 0 A
V
BL
= 0.5 V
V
BG
9 35 V
6V
I
L
15 A
15 A
T
mb
= 85C
t
p7
300
s
300
s
T
mb
25C
150C
25C
150C
-
-
-
-
95
-
35
V
A
A
A
A
mA
A
I
B
I
L
I
G
I
L
-
-
-
-
-
18
-
0.1
-
0.1
2
-
20
2
20
1
4
-
额定负载电流
抗性
R
ON
R
ON
导通状态电阻
导通状态电阻
15
-
18
-
150
20
37
25
45
190
m
m
m
m
R
G
内部接地电阻
I
G
= 10毫安
1
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。
2
开状态当电源电压低于9V。参见图8电阻增加。
3
这是从电源吸收的电流连续时的输入为低电平，并且包括漏电流给负载。
4
测得的电流在仅装载销。
5
这是从没有负载连接在所述电源汲取的电流连续，但与输入高。
6
定义为ISO 10483-1 。仅适用于比较。
7
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
2001年9月
3
启1.000
