PKD01
PEAK保持电容建议
保持电容器（C
H
）作为峰值存储器元件
和补偿电容。稳定运行需要一个迷你
1000 pF的妈妈的价值。较大的电容器可被用于降低
下垂的错误率，但采集时间会增加。
零刻度误差是内部调整对C
H
= 1000 pF的。其他
C
H
值将导致一个零刻度偏移可以是近似
配合使用以下等式。
比较
输入
V
C
PKD01
CMP
R1
V
OH
R2
V
ZS
mV
=
( )
1
×
10
3
pC
C
H
( )
0.6
mV
(
nF
)
反相
比较
输入
数字
GND
V–
R1 = R2
(
VV
C
–1
OH
)
峰值保持电容应具有非常高的绝缘电阻
tance和低介电吸收。对于温度低于
85 ℃下，聚苯乙烯电容建议，而特氟隆
电容器被推荐用于高温环境。
电容保卫和地面布局
图10.比较器输出与外部电平设置
电阻器
表一。
V
C
5
5
15
15
15
15
V
OH
3.5
5.0
3.5
5.0
7.5
10.0
R1
2.7 k
2.7 k
4.7 k
4.7 k
7.5 k
7.5 k
R2
6.2 k
1.5 k
2.4 k
7.5 k
15 k
R
1
≈
V
C
I
SINK
地平面，建议尽量减少地面路
性。单独的模拟地和数字地应该被使用。
两个接地系统只在普通连接在一起
系统地。这避免了数字电流返回到
通过模拟接地路径系统地。
14
13
1
2
1
R
2
≈
V
C
1
V
OH
峰值检波器逻辑控制（ RST ，
DET ）
3
4
PKD01
12
11
10
9
8
5
6
7
C
H
重复开
“元件面”
PC板如果可能的话
跨导放大器的输出由控制
数字逻辑信号和RST
DET 。
该业务PKD01
模式通过操纵电流（I
1
）通过Q
1
和Q
2
,
从而提供高速开关和可预测的逻辑
门槛。逻辑阈值电压为1.4 V时的数字
地是在零伏。
其他的阈值电压（V
TH
）可以通过将被选择
下式：
V
TH
≈
1.4
V
+
数字接地电位。
对于正确的操作，数字地必须始终至少
3.5 V以下的正电源和2.5伏以上的负
供应量。在RST或
DET
信号必须始终保持至少2.8 V
上述负电源。
操作数字地面以外的零伏不影响
比较器输出低电压。在V
OL
电平被引用
数字地面并按照数字地面任何改变
潜力：
V
OL
≈
0.2
V
+
数字接地电位。
底部视图
图9.
H
端（引脚4 ）护。参见文本。
了C
H
端子（引脚4 ）是高阻抗点。为了最大限度地减少
增益误差和维护PKD01的固有的低转差率，
守护引脚4 ，如图9 ，推荐。
比较
比较器输出高电平（V
OH
）由外部电阻设定
器。它可以优化的噪声抑制，而对接
所有标准逻辑系列-TTL ， DTL和CMOS 。身材
图10示出比较器输出与外部电平设置
电阻器。表I给出了典型的R1和R2的值共同
电路的条件。
最大比较高的输出电压（V
OH
）应
限制为：
V
OH
（最大值） <
V+
–2.0
V
与处于低状态的比较器（Ⅴ
OL
） ，输出级
将需要吸收电流大约等于V
C
/R1.
REV 。一
–13–
