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M29W002BT
M29W002BB
2兆位（ 256Kb的X8 ，引导块）
低压单电源闪存
初步数据
s
单2.7至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
存取时间： 55ns
编程时间
- 通过为10μs典型字节
7内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和4个主要模块
s
s
s
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节的程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
TSOP40 （ N）
10× 20毫米
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
临时块解除保护
模式
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
低功耗
- 待机和自动待机
A0-A17
W
E
G
RP
M29W002BT
M29W002BB
RB
18
VCC
s
s
8
DQ0-DQ7
s
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 热门器件代码M29W002BT ： 40H
- 底设备代码M29W002BB ：反应2h
s
s
VSS
AI02955
2000年3月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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