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飞思卡尔半导体，
指南 - 9S12E128DGV1 / D V01.04
公司
设备用户
表C - 2扩展总线时序特性（ 3.3V范围）
条件是VDDX = 3.3V +/- 10 ％ ，结点温度-40℃ + 140℃ ，C
负载
= 50pF的
NUM
1
2
3
4
5
6
7
C
P
P
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
等级
工作频率（ E-时钟）
周期
脉冲宽度，E低
脉冲宽度，E高
1
地址的延迟时间
地址有效时间至E上升（ PW
EL
–t
AD
)
多路复用地址保持时间
地址保持到数据有效
数据保持解决
读取数据建立时间
读数据保持时间
写入数据的延迟时间
写数据保持时间
写数据建立时间
(1)
（ PW
EH
–t
DDW
)
地址访问时间
(1)
(t
CYC
–t
AD
–t
DSR
)
高访问时间
(1)
（ PW
EH
–t
DSR
)
非复用地址的延迟时间
无地址复用功能可以有效的为E上升（ PW
EL
–t
NAD
)
非复用的地址保持时间
芯片选择延迟时间
芯片选择访问时间
(1)
(t
CYC
–t
惩教署
–t
DSR
)
芯片选择保持时间
芯片选择否定时间
读/写延迟时间
读/写有效时间至E上升（ PW
EL
–t
RWD
)
读/写的保持时间
低选通延迟时间
低频闪有效时间至E上升（ PW
EL
–t
LSD
)
低频闪保持时间
NOACC选通延迟时间
NOACC有效时间至E上升（ PW
EL
–t
点头
)
符号
f
o
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
AD
t
AV
t
MAH
t
AHDS
t
DHA
t
DSR
t
DHR
t
DDW
t
DHW
t
DSW
t
ACCA
t
ACCE
t
NAD
t
基金净值
t
NAH
t
惩教署
t
ACCS
t
CSH
t
CSN
t
RWD
t
RWV
t
RWH
t
LSD
t
LSV
t
LSH
t
点头
t
NOV
民
0
62.5
30
30
典型值
最大
16.0
单位
兆赫
ns
ns
ns
16
16
2
7
2
15
0
15
2
15
29
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
飞思卡尔半导体公司...
8
9
10
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27
28
29
30
31
14
16
2
14
16
2
14
16
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
151
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
