W742E/C816
4.查找表
位15-0 15 14 13 12 11 10 9 8
7
6
5 4 3
2 1
0
(PC-4000H)*4
TA33 TA32 TA31 TA30 TA23 TA22 TA21 TA20 TA13 TA12 TA11 TA10 TA03 TA02 TA01 TA00
查找表地址= （ PC地址 - 4000H ）* 4
例如：
表
TAB_addr
; Real_TAB_addr （ PC值） = TAB_addr / 4 + 4000H
00H ， 01H ， 02H ， 0AH ， 0CH ， 0DH ， 0EH ， 0Fh时
电磁无损检测
MOV
MOV
MOV
MOV
MOVC
TAB0 ， TAB_addr_B0_3 ;设置查找表地址
TAB1 ， TAB_addr_B4_7
TAB2 ， TAB_addr_B8_11
TAB3 ， TAB_addr_B12_15
内存
;得到查表值到RAM
5.4数据存储器（ RAM ）
5.4.1建筑
用于存储数据的静态数据存储器（RAM）被设置到5120 （ 5K ）
×
4比特。数据RAM
分为40家银行;每家银行都有128
×
4比特。执行
MOV DBKRL ， WR ， MOV DBKRH ，
WR
or
MOV DBKRL ， I路， MOV DBKRH ， #I
说明书可以决定哪些数据银行使用。该
数据存储器可以直接或间接地访问和数据存储区寄存器必须被确认
首先。在间接寻址模式中，每个数据组将被分成8页。该内存页
寄存器被设置在间接访问内存的时候。该指令
MOV WRN ， @WRq
MOV @WRq ， WRN
可以读取或写入的间接寻址方式，整个内存。拉姆
@WRq地址指示（ DBKRH ） * 800H + （ DBKRL ） * 80H + （ RAM页） * 10H + （ WRQ ） 。该
组织的数据存储器的示于图5-2 。
4位
0000H
:
007FH
0080H
:
00FFH
资料库00
（或工作寄存器银行）
第一个数据RAM页
（或第一WR页）
第二个数据RAM页
（或第二WR页）
3数据RAM页
（或第三WR页）
:
:
8日数据RAM页
（或第8 WR页）
70H
:
7FH
00H
:
0FH
10H
:
1FH
20H
:
2FH
资料库01
（或工作寄存器银行）
5120
地址
:
:
:
1380H
:
13FFH
巴塔银行39
5120 * 4位
图5-2数据存储器
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出版日期： 2001年12月17日
修订版A1
