飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 22千欧，R2 = 22千欧
热特性
符号
每个晶体管
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
每个器件
R
日J-一
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1和2
参数
条件
PEMH1 ; PUMH1
价值
单位
625
625
K / W
K / W
416
416
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板，单双面铜，标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
60
2.5
15.4
0.8
典型值。
1.1
1.7
22
1
马克斯。
100
1
50
180
150
0.8
28.6
1.2
2.5
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
A
2003十月08
4
