飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
------
-
R1
C
c
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
- 200毫伏
60
2.5
15.4
0.8
1.1
1.7
22
1
参数
条件
分钟。
典型值。
PUMH1
马克斯。
单位
100
1
50
180
150
0.8
28.6
1.2
2.5
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
10
3
手册， halfpage
的hFE
(2)
(1)
MGM916
手册， halfpage
1
MGM915
VCEsat晶体管
(3)
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
1999年5月20日
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