飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP电阻配备晶体管
PUMD10
手册， halfpage
10
3
MGR765
手册， halfpage
(1)
(2)
10
3
MGR764
的hFE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(3)
10
2
10
(1)
(2)
(3)
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
TR2 （ PNP ） ;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
TR2 （ PNP ） ;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.7
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
10
4
手册， halfpage
MGR767
10
4
手册， halfpage
MGR766
六（关闭）
（毫伏）
第六章（上）
（毫伏）
10
3
(1)
(2)
(3)
10
3
(1)
(2)
(3)
10
2
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
TR2 （ PNP ） ;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
TR2 （ PNP ） ;
V
CE
=
0.3
V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.9
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
图10输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月20日
6
