飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T
PHD9NQ20T
快速参考数据
d
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
V
DSS
= 200 V
I
D
= 8.7 A
g
R
DS （ ON）
≤
400 m
s
概述
N型沟道，使用增强型的场效应功率晶体管
TRENCH
技术，用于在离线使用
开关电源，电视和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路
和通用开关应用。
该PHP9NQ20T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的引线封装提供
该PHB9NQ20T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面安装封装
该PHD9NQ20T是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装提供
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
门
漏
1
来源
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
SOT428 （ DPAK ）
TAB
2
1 23
2
1
3
1
3
漏
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
200
200
±
20
8.7
6.2
35
88
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。
1999年8月
1
启1.100
