初步W91030B
直流电气特性，继续
参数
施密特输入高门槛
施密特输入低阈值
条件
RNGDI ，
RNGRC
睡觉
符号。
V
T+
V
T-
V
HYS
V
IH
V
IL
I
OH
分钟。
0.48
V
DD
0.28
V
DD
0.2
0.7 V
DD
V
SS
0.5
TYP
MAX 。单位
0.68
V
DD
0.48
V
DD
V
DD
0.3 V
DD
V
V
测试/
笔记
施密特迟滞
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
高输出源电流
DCLK ， MODE ，
FSKE
RGNON ，
DCLK ， DATA ，
FDRN ， FCDN ，
ALGO ，
ALGRC ， ALGR
RGNON ，
DCLK ， DATA ，
FDRN ， FCDN ，
ALGO ，
ALGRC ，
ALGR ， INTN
RNGRC
INP ， INN ，
RNGDI
SLEEP ， DCLK ，
MODE ， FSKE
RNGRC
ALGRC
INTN
VREF
VREF
ALGRC
V
V
mA
注1
输出低灌电流
I
OL
0.5
mA
注2
输入电流1
输入电流2
输出高阻电流1
输出高阻电流2
输出高阻电流3
参考输出电压
参考输出电阻
比较器的阈值
电压
I
OL
I
IN
1
I
IN
2
I
OZ
1
I
OZ
2
I
OZ
3
V
REF
R
REF
V
CPTH
2.5
1
10
1
5
10
0.5 V
DD
-4%
0.5 V
DD
-4%
0.5 V
DD
+4%
2
0.5 V
DD
+4%
mA
A
A
A
A
A
V
K
V
注2
注3,5
注3,5
记
4, 5
注6
测试：
1 ：所有输入引脚V
DD
或V
SS
除了振荡器引脚，没有模拟量输入，输出空载和SLEEP = V
DD
.
2：所有输入引脚V
DD
或V
SS
除了振荡器引脚，没有模拟量输入，输出端空载， SLEEP = V
SS
和FSKE = V
DD
or
FSKE = V
SS
.
注意事项：
" "典型的数字是在V
DD
= 5V及温度= 25°C ，仅供设计参考，不保证完全等同于产品
测试。
1. V
OH
= 0.9 V
DD
.
2. V
OL
= 0.1 V
DD
.
3. V
IN
= V
DD
到V
SS
.
4. V
OUT
= V
DD
到V
SS
.
5.幅度测量，忽视迹象。
6.输出 - 空载。
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