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M59MR032C ， M59MR032D
表18.状态寄存器位
(1)
状态
节目
块擦除超时
块/片擦除
进行中
擦除挂起
模式
擦除暂停座
非擦除暂停座
DQ7
1
1
0
不适用
切换
自动回读阵列数据
切换
0
不适用
1
DQ7
(2)
DQ7
0
0
DQ6
切换
切换
切换
DQ5
0
0
0
DQ3
不适用
0
1
DQ2
(2)
1
不适用
不适用
擦除编程过程中暂停
成功/
已完成
Word程序
自动回读阵列数据
块/片擦除
Word程序
DQ7
0
DQ7
切换
切换
切换
1
1
1
不适用
1
不适用
1
切换为
失败，块
讨论
1
突破
时限
块/片擦除
计划暂停
注：1，状态寄存器的位不考虑BINV 。
2. DQ7和DQ2需要一个有效的地址读取状态信息时。
耗电量
掉电
该存储器提供复位/断电控制
输入RP 。掉电功能，可爱科特
氧基团只有当相关的配置寄存器位
被设置为'1'。在这种情况下，当RF信号是
在V拉
SS
将电源电流降至一般
I
CC2
（见表28 ） ，内存和取消
输出为高impedance.If RP拉
到V
SS
编程或擦除操作过程中，这
操作中止在T
PLQ7V
和存储器
内容不再有效（见复位/掉电
输入描述） 。
上电
存储命令接口的复位Pow-
ER-到读阵列。东或者西必须连接到
V
IH
中电以实现最大的安全性
并有可能在第一次写入的命令
上升W的边缘在上电设备被配置
置的为：
- 页面模式： （ CR15 = 1 ）
- 掉电禁用： （ CR10 = 0 ）
- BINV禁用： （ CR14 = 0 ）
和所有的块被保护和解锁。
电源轨
正常的预防措施，必须采取电源电压
年龄脱钩;系统中的每个设备应
有V
DD
导轨分离用0.1μF capac-
itor关闭至V
DD
, V
DDQ
和V
SS
销。在PCB
迹的宽度应足以承载重新
quired V
DD
编程和擦除电流。
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