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M59MR032C ， M59MR032D
图4.读操作时顺序CR15 = 0 （不包括只读存储器阵列）
K
L
A16-A20
有效的地址
CONF 。代码2
ADQ0-ADQ15
有效的地址
有效数据
无效
无效
配置代码3
ADQ0-ADQ15
有效的地址
有效数据
配置码6
ADQ0-ADQ15
有效的地址
有效数据
无效
AI90112
突发读取。
该设备还支持突发
读取。在此模式中，地址首先被锁存
L或K（或K的下降沿的上升沿， AC-
盘带配置设置） ;已配后
为2 6个时钟周期的新数据是urable延迟
输出在每个时钟周期。突发序列
为线性或交织顺序可以被配置
和为4,8的字或为连续的长度
突发模式。
等待信号，可以肯定，说明在
系统，该系统将产生一个输出延迟。
此延迟将取决于起始地址
色同步信号序列;最坏情况下的延迟将会产生
序时，穿越32字CUR
边界和起始地址是在端
一个4字边界。看到写的配置
置寄存器（ CR）指令的更多详细信息
所有的同步突发的可能设置
读取。
写。
写操作是用来给指令
灰命令到存储器或锁存器的输入
数据进行编程。写操作是initi-
ated当芯片使能E和写使能W为
在V
IL
与输出使能摹在V
IH
。地址是
锁存L上的命令和在 - 的上升沿
放置数据被锁存W或E的上升沿
以先到为准。小于噪声脉冲
为5ns典型的E，W和G信号不启动
写周期。写操作是异步的
和时钟写入过程中被忽略。
双行操作。
双组允许
读存储器一家银行数据，而亲
克或擦除操作过程中，在其他
记忆银行。读取和写入周期可以
对于在不同的同时操作被启动
银行没有任何延迟。在状态寄存器
编程或擦除命令必须使用AD-被监控
银行内部的礼服被修改。
输出禁用。
的数据，输出为高电平im-
pedance当输出使能G是在V
IH
同
写在V启用W
IH
.
待机。
内存处于待机状态时，芯片
启用E是在V
IH
和P / E.C 。是空闲的。该pow-
器消耗减少到备用水平
且输出是高阻抗的，独立的
输出允许G或写使能W输入。
自动待机。
当在读取模式后，
公交车不活动为150ns ，当CMOS电平
开车的地址，该芯片可自动确保
逐张伪待机模式下消耗
被减小到CMOS备用值，同时输出
却将仍然驱动总线。自动待机为特色的
配置设备时TURE不可
同步连拍模式。
掉电。
内存掉电
当配置寄存器设置为电源 -
下来， RP是在V
IL
。的功率消耗是
减少到掉电电平，并输出为
在高阻抗，独立于芯片的恩
能E，输出使能G或写使能W输入。
块锁定。
模块的任意组合
暂时防止程序或
通过设置锁定寄存器和拉动WP删除
到V
IL
（见块锁定指令） 。
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