位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第636页 > MPC755BPX300LE > MPC755BPX300LE PDF资料 > MPC755BPX300LE PDF资料2第12页
电气和热特性
表6.直流电气连接特定的阳离子（续）
在推荐工作条件（见
表3）
特征
电容，V
in
= 0 V ， F = 1兆赫
公称
BUS电压
1
符号
C
in
民
—
最大
5.0
单位
pF
笔记
3, 4
注意事项：
1.标称电压;看
表3
对推荐的工作条件。
2.对于处理器的总线信号，基准为0V
DD
而L2OV
DD
是用于在L2总线信号的基准。
3.不包括测试信号（ LSSD_MODE ， L1_TSTCLK ， L2_TSTCLK ）和IEEE 1149.1边界扫描（ JTAG）信号。
4.电容周期性采样，而不是100 ％测试。
5.泄漏测量标称OV
DD
和V
DD
或两者的OV
DD
和V
DD
必须在相同的方向变化（例如，二者的OV
DD
和
V
DD
通过为+ 5 ％或-5 ％）有所不同。
表7
提供的电力消耗为MPC755 。
表7.功耗为MPC755
处理器（CPU）的频率
300兆赫
350兆赫
全功率模式
典型
最大
3.1
4.5
打盹模式
最大
1.8
打盹模式
最大
1.0
1.0
睡眠模式
最大
550
550
550
mW
1, 2, 4
1.0
W
1, 2, 4
2.0
2.3
W
1, 2, 4
3.6
5.3
5.4
8.0
W
W
1, 3, 4
1, 2
400兆赫
单位
笔记
休眠模式（ PLL和DLL禁用）
最大
510
510
510
mW
1, 2
注意事项：
1.这些值适用于所有有效的处理器总线和L2总线比率。该值不包括I / O供电（ OV
DD
和L2OV
DD
）或PLL / DLL
供电（AV
DD
和L2AV
DD
） 。 OV
DD
和L2OV
DD
电力系统相关，但通常的V <10 ％
DD
力。最坏的情况下功耗
消费AV
DD
= 15毫瓦和L2AV
DD
= 15毫瓦。
2.最大功率的测量是在额定V
DD
（见
表3）
当运行一个完全缓存驻留，做作的指令序列
它保持执行单元最大限度忙。
3.典型的功率是在标称推荐V开始测量的平均值
DD
（见
表3）
和65 ℃下，在系统中同时运行的一个典型
码序列。
4.未经100％测试。表征和定期采样。
MPC755 RISC微处理器硬件规格，版本6.1
12
飞思卡尔半导体公司
