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程序存储器锁定位
该AT89LS53具有可留下外部器件了三个锁定位
编程（ U），或可以被编程（P），以获得额外
tional特性列于下表中。
当锁定位1被编程，在EA引脚上的逻辑电平
采样和复位过程中被锁存。如果该设备是pow-
ERED时没有复位，锁存器初始化为一个随机
值，并保持该值直到复位被激活。该
EA的锁存值必须与当前的逻辑电平
在该销，以使设备正常工作。
一旦编程，锁定位只能是外部器件了
编程了无论是在标准杆的芯片擦除操作
等位基因或串行模式。
锁定位保护模式
(1) (2)
程序锁定位
LB1
1
2
3
4
注意事项：
LB2
U
U
P
P
LB3
U
U
U
P
保护类型
无内部存储器锁定功能。
从外部程序存储器执行MOVC指令从取禁用
字节代码从内部存储器。 EA进行采样和锁存的复位，并进一步
闪存（并行或串行模式）的编程是禁用的。
模式2相同，但并行或串行验证也被禁用。
一样的模式3 ，但外部的执行也将被禁用。
U
P
P
P
1. U =未编程
2. P =程序
Flash进行编程
Atmel的AT89LS53闪存微控制器提供了12K字节
在系统内可编程的Flash程序存储器。
该AT89LS53通常随片上闪存
在擦除状态代码存储器阵列（即内容=
FFH），并准备好进行编程。该设备支持
高电压（ 12V ）的并行编程模式和一个低
电压（2.7 6.0V ）串行编程模式。串行
编程模式提供了一种方便的方法来降频
读取用户的系统内的AT89LS53 。并行
编程模式与传统的第三个兼容
党的Flash或EPROM编程器。
程序存储器的占用一个连续的地址
从0000H空间2FFFH 。
在AT89LS53守则阵列编程字节逐
字节中的任一编程模式。一个自动擦除周期
设置有在自定时编程操作
串行编程模式。没有必要执行
芯片擦除操作进行重新编程以任何内存位置
串行编程模式，除非所有的锁定位
已被编程。
在并行编程模式，没有自动擦除
周期。改编任何非空白字节中，用户需要
使用芯片擦除操作首先擦除整个代码
存储器阵列。
并行编程算法
编程和验证AT89LS53在并行亲
编程模式中，遵循以下的步骤：
1.上电顺序：
适用于V之间的权力
CC
和GND引脚。
设置RST引脚为“H” 。
应用3 MHz至12 MHz的时钟XTAL1脚，等待
为至少10毫秒。
2.将PSEN引脚为“L”
ALE引脚为“ H”
EA管脚为“H”和所有其它引脚为“H” 。
3.将“H ”或“L”逻辑的适当组合
各级引脚P2.6 ， P2.7 ， P3.6 ， P3.7选择之一
在Flash中所示的编程操作
编程模式表。
4.应用所需的字节地址引脚P1.0到P1.7
P2.0和P2.5来。
适用于数据引脚P0.0至P0.7为编写代码操作
化。
5.提高EA / V
PP
至12V ，使闪存编程，
删除或验证。
6.脉冲ALE / PROG一次编程的一个字节
代码存储器阵列，或锁定位。字节的写入
周期是自定时的，通常需要1.5毫秒。
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AT89LS53
