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读阵列：
在初始器件上电和复位退出后，设备默认为
读阵列模式。还通过写入读阵列命令启动该操作。该
设备保持启用读取，直到另一个命令写入到设备。
一旦内部写状态机（ WSM ）已经开始扇区擦除或编程操作，
该设备将无法识别直到操作完成读阵列命令。
扇区擦除：
前一个字节可以被编程为一个扇区，该扇区，首先必须
删除。所述存储器阵列是由多个扇区可独立擦除的
使用两种不同的扇区擦除指令，擦除扇区和统一扇区擦除。在统一企业
形式扇区擦除命令可用于擦除的主要部门，并且它也可以被用来
删除所有子行业中，允许存储阵列中均匀64K字节擦除
地区。扇区擦除命令用于清除各个子行业提供了
更有效和更细的粒度擦除。此外，扇区擦除命令可用于
抹去的主要部门，以及允许单个擦除命令用于擦除任何
扇区的存储器阵列中。这两个扇区擦除指令需要两个指令周期到起始
tiate内部自定时擦除操作。
发出扇区擦除命令后，设备的状态寄存器可以检查来确定
雷WSM的状态和擦除操作。如果设备检测到扇区擦除错误，
系统软件将尝试任何纠正之前的状态寄存器应该被清除
行动。一个扇区擦除后，崔保持在读状态寄存器模式，直到一个新的
命令被发出。
成功扇区擦除需要相应部门的写锁定位被清零，
相应的硬件写保护引脚（ TBL或WP）是不活动的。如果使用的是均匀
扇区擦除命令删除所有子行业中，那么所有的子行业必须有
他们写锁定位清零， TBL引脚必须处于非活动状态。如果一个扇区擦除尝试
当该扇区被锁定时，扇区擦除会失败，失败的原因将indi-
符在状态寄存器。
的存储器位的擦除状态是逻辑“1”（擦除一个字节的状态是FFH） 。
字节编程：
该设备被编程在逐字节的基础。字节编程
指令需要两个指令周期与编程地址和数据被输入
关于第二个命令的周期。该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲，以及所有编程操作是完全独立的定时。请注意
该字节的位置被编程必须已被擦除为FFH。 “0 ”不能
被编程回到“ 1” ;只有擦除操作可以转换的“0”到“1” 。
字节编程命令写入后，该设备的状态寄存器，可以检查
确定WSM状态和程序操作的结果。如果一个程序错误
检测，状态寄存器应该采取的是之前的任何纠正措施被清除
系统软件。一个字节的程序操作后，崔保持在读状态寄存器
模式，直到一个新的命令被发出。
一个成功的项目运作还需要相应的扇区的写锁定位
被清除，以及相应的硬件写保护引脚（ TBL或WP）是不活动的。如果一家亲
克操作被尝试时，该扇区被锁定时，该操作将失败，其原因
失败会显示在状态寄存器。
读状态寄存器：
状态寄存器（ SR ） ，可以读出，以确定当一个节
器擦除或编程操作完成，操作是否成功完成。
状态寄存器可以通过写读状态寄存器命令随时读取。
写的读状态寄存器指令后，所有后续的读操作将返回
从状态寄存器的数据，直到另一个有效的命令写入到设备。
清除状态寄存器：
错误标志（ SR [ 5,4,1 ] ），状态寄存器只能设置为
的“1”由WSM并只能通过清除状态寄存器命令复位。因此，如果
检测到错误，则状态寄存器必须在开始另一个操作之前被清除
为了避免歧义。
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AT49LH004
3383B–FLASH–9/03
