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4兆位LPC固件闪存
SST49LF004B
数据表
DC特性
表14 ： DC
操作摄像机
C
极特
(A
LL
I
NTERFACES
)
范围
符号参数
I
DD1
积极V
DD
当前
民
最大
单位测试条件
LCLK
（ LPC模式）
和地址输入
（ PP模式）
=V
ILT
/V
IHT
在f = 33兆赫（
LPC模式
）或1 /
tRC的最小值
(
PP模式
)
所有其它输入= V
IL
或V
IH
12
30
100
mA
mA
A
所有输出=开放，V
DD
=V
DD
最大
见注2
LCLK
（ LPC模式）
和地址输入
（ PP模式）
=V
ILT
/V
IHT
在f = 33兆赫（
LPC模式
）或1 /
tRC的最小值
(
PP模式
)
LFRAME ＃ = 0.9 V
DD
， F = 33 MHz时， CE＃ = 0.9 V
DD
,
V
DD
=V
DD
马克斯，所有其它输入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
LCLK
（ LPC模式）
和地址输入
（ PP模式）
=V
ILT
/V
IHT
在f = 33兆赫（
LPC模式
）或1 /
tRC的最小值
(
PP模式
)
LFRAME ＃ = V
IL
， F = 33 MHz时， V
DD
=V
DD
最大
所有其它输入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
读
写
2
I
SB
待机V
DD
当前
（ LPC接口）
I
RY3
输入电流模式
和
ID为[ 3：0 ]引脚
输入漏电流为
模式
和ID [3： 0]引脚
输入漏电流
输出漏电流
INIT ＃输入高电压
INIT ＃输入低电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
0.9 V
DD
1.1
-0.5
-0.5
0.5 V
DD
10
mA
I
I
200
A
I
LI
I
LO
V
IHI
V
ILI
V
IL
1
1
V
DD
+0.5
0.4
0.3 V
DD
V
DD
+0.5
0.1 V
DD
A
A
V
V
V
V
V
V
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
IH
V
OL
V
OH
T14.2 1232
1. I
DD
同时，积极进行读或写（编程或擦除）操作正在进行中。
2.对于PP模式： OE ＃ = WE＃ = V
IH
;为LPC模式： F = 1 / T的
RC
分钟， LFRAME ＃ = V
IH
.
3.设备处于准备就绪状态时，没有活动的LPC总线上。
表15 ，R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T15.0 1232
1.此参数的测量只为最初的资格和设计或工艺变更可能影响该参数后，
表16 ：P
IN
C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN1
(V
DD
= 3.3V ，TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
最大
12 pF的
12 pF的
T16.0 1232
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2003硅存储技术公司
S71232-02-000
12/03
24
