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2兆位/ 3兆位/ 4兆位/ 8兆位固件枢纽
SST49LF002A / SST49LF003A / SST49LF004A / SST49LF008A
超前信息
表12 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU- READ
1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T12.2 504
T
PU-WRITE1
1.此参数的测量只为最初的资格和设计或工艺变更可能影响该参数后，
表13 ：P
IN
I
MPEDANCE
参数
C
I/O1
C
IN
1
(V
DD
= 3.3V ，TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
引脚电感
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
12 pF的
20 nH的
T13.4 504
L
PIN2
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.请参阅PCI规范。
表14 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
结束
T
DR1
I
LTH1
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最低
规范
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T14.3 504
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表15 ：C
LOCK
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
CYC
T
高
T
低
-
-
参数
CLK周期时间
CLK高电平时间
CLK低的时间
CLK压摆率（峰 - 峰值）
RST ＃或INIT ＃转换率
民
30
11
11
1
50
4
最大
单位
ns
ns
ns
V / ns的
毫伏/ NS
T15.1 504
TCYC
大腿
0.6 VDD
0.5 VDD
0.4 VDD
0.3的Vdd
0.2 VDD
504 ILL F27.0
为tLOW
0.4 VDD对 - 到 - 对
（最小）
图9 ： CLK W
AVEFORM
2001硅存储技术公司
S71161-06-000 9/01
504
20
