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2兆位/ 3兆位/ 4兆位/ 8兆位固件枢纽
SST49LF002A / SST49LF003A / SST49LF004A / SST49LF008A
超前信息
任何给定的电压范围， SuperFlash技术
编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，
在任何擦除或编程的总能量消耗的能操作
ATION低于其他闪存技术。
该SST49LF00xA产品提供了最大的针对字节
20微秒的节目时间。整个内存可以
擦除和在15仲编程逐字节通常
哔声为8兆位装置中，当使用状态检测
功能，如翻转位或数据＃投票指示
编程操作的完成。的超快闪技
术提供了固定的擦除和编程时间， indepen-
擦除/编程周期具有的数量的凹
进行。因此，系统软件或硬件
不必进行校准或相关的cumu-
擦除/编程周期的必要迟来数
与其他闪存技术，其擦除
并计划时间的增加与积累擦除/亲
克周期。
为了防止意外写操作时， SST49LF00xA
装置采用的硬件和软件数据（ SDP）的保护
化方案。它可提供典型的耐力
10万次。数据保留的额定功率为大于100
年。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST49LF00xA器件采用32引脚TSOP和32
引脚PLCC封装。参见图7和8为管脚和
表8引脚说明。
主机和SST49LF00xA之间讯通过发生
4位I / O通讯信号， FWH [ 3 ： 0 ]和
FWH4 。在PP中模式中，该设备通过一个编程-11-
位地址和一个8位数据I / O并行信号。该
地址输入被复用的行和列
通过控制信号R / C ＃引脚选择。列
地址被映射到更高的内部地址，
和行地址被映射到所述下部内部
地址。参见图3中的器件存储器映射
通过6地址分配。
固件枢纽（ FWH ）模式
设备操作
该FWH模式采用了5信号通信接口，
FWH [3：0 ]和FWH4 ，以控制的动作
SST49LF00xA 。操作，如内存读取和
内存写入采用了英特尔FWH专有协议。 JEDEC
标准SDP （软件数据保护）字节编程，
扇区擦除和块擦除命令序列
纳入FWH存储周期。芯片擦除是
仅适用于PP模式。
该器件进入待机模式，当FWH4高，
没有内部操作正在进行中。该设备处于就绪
模式时FWH4低，无活性的FWH总线上。
固件枢纽接口周期
地址和数据被转移到并从
SST49LF00xA由一系列的“田” ，其中每个字段CON-
tains 4位的数据。 ST49LF00xA只支持单字节
读取和写入操作，并且所有字段都是一个时钟周期的长度。
场顺序和内容的严格定义阅读
和写入操作。本节讨论参考
从SST49LF00xA的“的角度看地址
看来，“一些计算将需要这些翻译到
在存储器映射中，如果实际位置（反之亦然）
多个存储装置被用于在总线上。表1和表2
列出阅读领域的序列和写周期。
模式选择及说明
该SST49LF00xA闪存设备可以工作在
两种不同的接口模式：在固件枢纽接口
（ FWH ）模式和并行编程（ PP ）模式。
在IC （接口配置销）被用于设置
接口模式选择。如果IC引脚设置为逻辑高电平时，
该装置是在聚丙烯模式;如果IC引脚设置为低电平时，
该装置是在FWH模式。该IC的选择引脚必须
之前的设备的操作进行配置。该IC引脚
内部上拉下来，如果该引脚没有连接。在FWH
模式，该设备配置有其主机接口
采用英特尔固件枢纽专有协议。 Commu-
2001硅存储技术公司
S71161-06-000 9/01
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