2兆位/ 3兆位/ 4兆位/ 8兆位固件枢纽
SST49LF002A / SST49LF003A / SST49LF004A / SST49LF008A
超前信息
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到
V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）接地电位
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0V到
V
DD
+2.0V
包装功率耗散能力（ TA = 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
表面贴装引线焊接温度（ 3秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
输出短路电流
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.不要违反对INIT ＃引脚的处理器或芯片组的限制。
2.输出短路为不超过一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。这说明适用于非PCI输出。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 85°C
V
DD
3.0-3.6V
AC - C
ONDITIONS
OF
T
EST1
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的
请参阅图24和25
1. FWH接口信号使用PCI负载测试条件
表11 ： DC
操作摄像机
C
极特
(A
LL
I
覆盖整个院落
)
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
写
I
SB
I
RY1
I
I
I
LI
I
LO
V
IHI2
V
ILI2
V
IL
待机V
DD
当前
（ FWH接口）
就绪模式V
DD
当前
（ FWH接口）
输入电流IC，
ID为[ 3 ：0]引脚
输入漏电流
输出漏电流
INIT ＃输入高电压
INIT ＃输入低电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
0.9 V
DD
1.0
-0.5
-0.5
0.5 V
DD
12
24
100
10
200
1
1
V
DD
+0.5
0.4
0.3 V
DD
V
DD
+0.5
0.1 V
DD
mA
mA
A
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
V
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
IL
/
V
IH
，在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
马克斯（ PP模式）
OE ＃ =
V
IH
， WE＃ =
V
IH
OE ＃ =
V
IH
， WE＃ = V
IL
, V
DD
=V
DD
马克斯（ PP模式）
FWH4=0.9V
DD
， F = 33 MHz的V
DD
=V
DD
马克斯，所有
其他投入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
FWH4=V
IL
， F = 33 MHz的V
DD
=V
DD
马克斯所有其他
输入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 1500μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T11.8 504
V
IH
V
OL
V
OH
1.该设备在就绪模式下，当没有活动的FWH总线上。
2.不要违反处理器或芯片组规格方面INIT ＃电压。
2001硅存储技术公司
S71161-06-000 9/01
504
19
