bq27000 ， BQ27200
SLUS556B - 2004年9月 - 修订2004年11月
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周期计数由于学习周期寄存器（ CYCLL / CYCLH ） - 地址0x28 / 0x29
CYCL是自上个学习周期的周期数。每个计数表示CYCT的，因为有增量
是一个学习周期。该寄存器每次有一个学习周期清零。当此计数值达到32 ，它
迫使CI标志旗，一个1主机系统具有只读这对寄存器的访问。
循环计数寄存器的总数（ CYCTL / CYCTH ） - 地址0x2A / 0x2B访问
CYCT是因为完全复位的周期数。一个完整的复位清除该寄存器。每个计数指示累积
放电等于设计能力（ 256 * ILMD ） 。主机系统具有只读访问这个寄存器对。
补偿的国家的主管（ CSOC ） - 地址0x2c上
CSOC报道补偿的可用容量为最后实测流量值（ LMD ）的百分比。
该方程为：
CSOC （％）= 100 * CACT / LMD
主机系统具有只读访问这个寄存器。
保留寄存器
地址0x2D - 0x6D和地址0x6F - 0x75保留，不能被写入由主机。
EEPROM允许寄存器（ EE_EN ） - 地址0x6E
这寄存器是用来使主机写入EEPROM数据位置（地址0x76 - 0x7F的） 。主机必须
写入数据0xDD该寄存器使能EEPROM编程。见
EEPROM编程
部分
关于编程字节EEPROM的进一步信息。应当小心以确保除了没有价值
0xDD被写入到这个位置。
EEPROM数据寄存器（ EE_DATA ） - 地址0x76 - 0x7F的
EEPROM数据寄存器中包含的信息的设备的性能是至关重要的。这些寄存器是为
包装制造过程中编程以允许用户监控在该电池的设计值的灵活性。
EEPROM数据寄存器中列出了应设定如下表2详细描述。
见
EEPROM编程
部分编写的值到EEPROM中的详细信息。
表2. bq27000 / BQ27200 EEPROM存储器映射
地址
0x7F
0x7E
0x7D
0x7C
0x7B
0x7A
0x79
0x78
0x77
0x76
名字
TCOMP
DCOMP
IMLC
PKCFG
锥体
DMFSD
ISLC
SEDV1
SEDVF
ILMD
功能
温度补偿常数，OR编号＃ 1
放电率补偿常数，OR ， ID ＃ 2
最初的最大负载电流， OR， ID ＃ 3
包配置值
老化估计能[ 7 ] ，充电终止电流锥度[6 ： 0 ]
数字幅值滤波器和自放电速率常数
初始待机负载电流
缩放EDV1门槛
缩放EDVF门槛
最初的最后一次测量放高字节
最初的最后实测流量高字节（ ILMD ） - 地址0x76
该寄存器包含要监视的电池的经缩放的设计容量。的公式来计算
最初的LMD是：
ILMD =设计容量（mAh ） * R
S
(m) / (256*3.57)
其中R
S
是在该系统中使用的感测电阻器的值。此值被用来初始化的高字节
LMD 。 LMD的初始低字节值是0 。
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