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SN74CB3Q3306A
双FET总线开关
2.5 V / 3.3 V低电压，高带宽总线开关
SCDS113D - 2002年12月 - 修订2003年11月
D
高带宽数据路径
（高达500 MHz
)
D
数据和控制输入提供
D
D
D
D
D
D
D
冲钳位二极管
低功耗
(I
CC
= 0.25 mA典型）
V
CC
经营范围为2.3 V至3.6 V
数据I / O的支持0 5 V信号电平
(0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
控制输入可以通过TTL驱动或
5 -V / 3.3 V CMOS输出
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
同时支持数字和模拟
应用范围： USB接口，微分
信号接口，总线隔离，
低失真信号选通
D
5 V容限I / O的设备加电启动
D
D
D
D
D
或断电
低而平坦的导通电阻（R
on
)
超过工作范围的特点
(r
on
= 4
典型）
轨到轨开关上的数据I / O端口
- 0- 5 - V开关采用3.3 V V
CC
- 0- 3.3 - V开关采用2.5 V V
CC
双向数据流，接近零
传播延迟
低输入/输出电容最小化
装载和信号失真
(C
io的（OFF）的
= 3.5 pF的典型）
快速开关频率
(f
OE
= 20 MHz的最大值）
有关业绩的更多信息
该CB3Q家族的特征，请参考TI
申请报告，
CBT -C ， CB3T和CB3Q
信号开关系列，
文献编号SCDA008 。
D
PW包
（ TOP VIEW ）
1OE
1A
1B
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
2OE
2B
2A
描述/订购信息
该SN74CB3Q3306A是利用电荷泵提升栅极电压高带宽总线的FET开关
导通晶体管，从而提供一个低而平坦的导通电阻体（r
on
） 。低而平坦的导通电阻
能达到最小的传播延迟，并支持轨到轨上的数据输入/输出（I / O）端口的切换。该
器件还具有低数据I / O电容，以减少电容性负载和对数据信号失真
总线。专门为支持高带宽应用， SN74CB3Q3306A提供
优化的界面解决方案，非常适合于宽带通信，网络和数据密集型
计算系统。
订购信息
TA
-40 ° C至85°C
包装
管
TSSOP - PW
磁带和卷轴
订购
产品型号
SN74CB3Q3306APW
SN74CB3Q3306APWR
BU306A
TOP- SIDE
记号
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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