ADG438F/ADG439F
工作原理
该ADG438F / ADG439F多路复用器能够与 - 中
站在过电压-40 V至+55 V，不论
无论是电源存在与否。每个通道
多路复用器由一个n沟道MOSFET ， p沟道
MOSFET和n沟道MOSFET的串联连接。
当模拟输入超过电源电压时，所述一个
的MOSFET将关闭，限制了亚微安的电流
的水平，从而防止过压损坏的任何
电路如下多路复用器。图12示出了
渠道架构，使这些多路复用器与 -
机架全连续过电压。
当V的模拟输入
SS
+ 1.2 V到V
DD
- 0.8 V施加
到ADG438F / ADG439F ，多路复用器表现为
标准多路复用器，具有规格类似于标准
多路转换器，例如，导通电阻是180
典型的。
然而，当过电压被施加到所述装置中，其中一个
三个MOSFET的将关闭。
图10至图13示出了3的MOSFET的条件
各种过电压的情况。当模拟输入AP-
合股到ON信道接近正电源
线， n沟道MOSFET关断时，因为该电压
模拟输入超过V之间的差
DD
和
+55V
过压
N沟道
MOSFET导通时
关闭
V
DD
V
SS
Q1
Q2
Q3
n沟道阈值电压（V
TN
） 。当一个电压更加阴性
略去比V
SS
被施加到所述多路转换器，所述p沟道
MOSFET将关闭，因为模拟输入电压更负
比V之间的差
SS
和p沟道阈
电压（V
TP
).
当电源是存在的，但该通道是关闭的，
再或者，p沟道MOSFET或n沟道的一个
当过压发生的MOSFET将保持关闭。
最后，当电源关断时，在每个门
MOSFET将在地面上。负过电压接通
第一n沟道MOSFET ，而是由所产生的偏压
过压会导致p沟道MOSFET ，以保持导通
关。具有正的过电压，在该系列中的第一MOSFET
将保持关闭，由于栅极至源极电压施加到该
MOSFET是否定的。
在故障条件下，漏电流流入和流出的
ADG438F / ADG439F被限制为几微安的电流。这种亲
tects从以上讲的多路转换器和后续电路
以及保护驱动该多信号源
多路复用器。此外，多路转换器的另一个通道将
由过电压不受干扰并且将继续工作
正常。
Q1
Q2
Q3
+55V
过压
N沟道
MOSFET导通时
关闭
图10. +55 V过压保护输入通道
–40V
过压
N沟道
MOSFET导通时
ON
V
SS
V
DD
Q1
Q2
Q3
图12. 55 V过电压与电源关闭
–40V
过压
N沟道
MOSFET导通时
ON
Q1
Q2
Q3
P沟道
MOSFET导通时
关闭
P沟道
MOSFET导通时
关闭
图11. -40 V过电压上的OFF通道与
多路电源开
图13. -40 V过电压与电源关闭
测试电路
I
DS
V
DD
V
SS
V
SS
S1
D
S2
S8
EN
V
S
V
D
+0.8V
EN
V
S
+0.8V
D
V
DD
V
SS
V
DD
S1
S2
V
S
S
D
S8
V
DD
V
SS
I
D
（关闭）
A
V
D
V1
I
S
（关闭）
A
R
ON
= V
1
/I
DS
测试电路1.电阻
测试电路2.我
S
（关闭）
测试电路3.我
D
（关闭）
–6–
Rev. D的
