K9F6408U0C

FL灰内存

文档标题

8M ×8位NAND闪存

修订历史

修订历史号

1.0

1. NAND闪存技术说明改变。

（无用）块->初始无效块（第13页）

-error在写或读操作（第14页）

- 程序流程图（第14页）

1.流程图来创造初始无效块表被改变。

草案日期

10月25日。 2004年

备注

1.1

5月6日。 2005年

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利

规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系

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