位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第668页 > MMBZ5239ELT3 > MMBZ5239ELT3 PDF资料 > MMBZ5239ELT3 PDF资料1第2页
MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2号连接， 3阴极） （T
A
= 25°C
除非另有说明，V
F
= 0.95 V最大。 @我
F
= 10 mA）的
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
电气特性
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注4 ）
设备
记号
BE2
BE7
BE9
BF1
BF2
V
Z
(V)
民
2.28
3.13
3.70
4.08
4.46
喃
2.4
3.3
3.9
4.3
4.7
最大
2.52
3.47
4.10
4.52
4.94
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
30
28
23
22
19
Z
ZK
@ I
ZK
W
1200
1600
1900
2000
1900
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
100
25
10
5
5
V
1
1
1
1
2
设备
MMBZ5221ELT1G,T3G
MMBZ5226ELT1,T3
MMBZ5228ELT1,T3
MMBZ5229ELT1,T3
MMBZ5230ELT1,T3
MMBZ5231ELT1,T3
MMBZ5232ELT1,T3
MMBZ5234ELT1,T3
MMBZ5235ELT1,T3
MMBZ5236ELT1,T3
MMBZ5237ELT1,T3
MMBZ5239ELT1,T3
BF3
BF4
BF6
BF7
BF8
BF9
BG2
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.65
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.55
20
20
20
20
20
20
20
17
11
7
5
6
8
10
1600
1600
1000
750
500
500
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
3
3
3
3
2
3
4
5
6
6.5
7
MMBZ5240ELT1,T3
MMBZ5242ELT1,T3
MMBZ5243ELT1,T3
MMBZ5244ELT1,T3
BG3
BG5
BG6
BG7
9.50
11.40
12.35
13.30
10
12
13
14
10.50
12.60
13.65
14.70
20
20
9.5
9
17
30
13
15
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
3
1
0.5
0.1
8
9.1
9.9
10
MMBZ5245ELT1,T3
MMBZ5246ELT1*
BG8
BG9
14.25
15.20
15
16
15.75
16.80
8.5
7.8
16
17
600
600
0.25
0.25
0.1
0.1
11
12
MMBZ5248ELT1,T3
MMBZ5250ELT1,T3
BH2
BH4
17.10
19.00
18
20
18.90
21.00
7
6.2
21
25
600
600
0.25
0.25
0.1
0.1
14
15
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
4.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
的“G ”后缀表示无铅封装。
*不可在10,0000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
2
