bq4287
掉电/上电时序
符号
t
F
t
R
t
企业社会责任
参数
V
CC
摆在4.5V至0V
V
CC
摆在0V至4.5V
CS在V
IH
上电后
数据保留时间和
保持时间
写保护时间
外部RAM
最低
300
100
20
(T
A
= T
OPR ）
典型
-
-
-
最大
-
-
200
单位
s
s
ms
内置写保护
V期后
CC
通过V
PFD
上电。
T
A
= 25 ° C，在V无负载
OUT
or
CE
OUT
.
V后延时
CC
减慢
以往V
PFD
之前， SRAM是
写保护。
时间在此期间，外
SRAM被写保护后，
V
CC
通过V
PFD
上电。
条件
t
DR
10
-
-
岁月
t
WPT
10
16
30
s
t
CER
芯片使能的恢复时间
芯片使能繁殖
延迟到外部SRAM
t
企业社会责任
-
t
企业社会责任
ms
t
CED
注意：
-
7
10
ns
时钟精度优于
±
在t期间每月1分钟25℃的
DR
.
注意：负下冲低于-0.3V在电池备份模式下的绝对最大额定值
可能影响数据的完整性。
掉电/上电时序
1993年11月
3
