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富士通半导体
数据表
DS05-20874-4E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29DL16XTD/BD
-70/90/12
s
特点
双操作
0.33
m
工艺技术
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备（请参阅表1 ）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29DL16XTD/MBM29DL16XBD
70
—
70
70
30
—
90
90
90
35
—
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
48引脚塑料TSOP （ I）
48引脚塑料FBGA
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-48P-M13)
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
