FQA36P15
典型特征
10
2
-I
D
，漏电流[ A]
10
1
-I
D
，漏电流[ A]
V
GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
下图： -4.5 V
上图：
10
2
175 C
10
1
o
25 C
-55 C
10
0
o
o
10
0
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= -40V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
0.4
10
2
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
0.3
V
GS
= -10V
-I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
0.2
0.1
V
GS
= -20V
10
0
175℃
25℃
※
注：t
J
= 25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
8000
7000
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
14
12
C
OSS
V
DS
= -30V
V
DS
= -75V
V
DS
= -120V
-V
GS
，栅源电压[V]
10
电容[ pF的]
5000
4000
3000
2000
1000
0
-1
10
C
国际空间站
※
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
8
6
C
RSS
4
2
※
注：我
D
= -36A
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2003仙童半导体公司
版本B ， 2003年12月
