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CY7C199C
12纳秒
参数
描述
民
最大
15纳秒
民
最大
20纳秒
民
最大
25纳秒
民
最大
单位
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
地址建立撰写
开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
0
8
8
0
–
3
–
–
–
–
7
–
0
9
9
0
–
3
–
–
–
–
7
–
0
15
10
0
–
3
–
–
–
–
10
–
0
15
10
0
–
3
–
–
–
–
10
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
9
所有
参数
描述
条件
民
最大
单位
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V ，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V
2.0
–
0
200
–
150
–
–
V
uA
ns
us
时序波形
数据保存波形
V
CC
数据保持方式
t
CDR
CE
t
R
读周期1号
10 11
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
仅9 L-版本。
10.设备不断选择。 OE = V
IL
= CE 。
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05408修订版**
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