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CY7C199C
写周期NO 。 2
（ CE控制）
17 18 19
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
AW
t
HA
WE
t
SD
IN / OUT数据
高Z
DATA-内有效
t
HD
高Z
写周期NO 。 3
（我们控制， OE低）
20
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
数据
IN / OUT
未定义
见脚注
t
HA
t
PWE
t
HD
未定义
见脚注
DATA-内有效
t
HZWE
t
LZWE
注意事项：
17.这个周期是CE控制。
18.数据输入/输出的是，如果OE = V高阻
IH
.
19.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
20.循环我们控制， OE低。最小写周期时间为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05408修订版**
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