初步数据表
NPN硅外延
晶体管微波
高增益放大
特点
高F
T
:
17 GHz的典型值在2 V ， 7毫安
低噪声系数：
NF = 1.1 dB典型值，在f = 2 GHz时， 2 V ， 1毫安
高增益：
|S
21E
|
2
= 15.5分贝TYP在f = 2 GHz的
6针小型微型模压封装
出色的低电压，
低电流性能
0.65
2.0
±
0.2
1.3
2
1
NE698M01
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M01
顶视图
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
6
0.2 （所有信息）
5
T1E
3
4
描述
该NE698M01是一个NPN高频硅外延
晶体管（ NE686 ）封装在一个超小型6引脚SOT-
363包。它的四个发射器引脚降低发射器的电感
导致3分贝更多增益相比于传统的SOT-23
和SOT -143器件。该NE698M01是理想的LNA和
预驱动器的应用程序达2.4 GHz的低成本，高增益，
低电压和低电流是主要的考虑因素。
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
0 ~ 0.1
+0.10
引脚连接
4.发射器
1.发射器
5.发射
2.辐射源
6.集热器
3. BASE
注意：引脚3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
C
RE2
|S
21E
|
2
NF
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
增益带宽积为V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安中，f = 2.0GHz的
反馈电容在V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2.0 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 1毫安， F = 2.0 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
13
单位
A
A
70
17
0.1
15.5
1.1
1.8
0.15
民
NE698M01
M01
典型值
最大
0.1
0.1
140
注意事项：
1.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
美国加州东部实验室
