FQB7P06 / FQI7P06
2001年5月
QFET
FQB7P06 / FQI7P06
60V P沟道MOSFET
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲的
雪崩和减刑模式。这些设备是
非常适用于低电压应用，如汽车，
直流/直流转换器，和高效率的电源开关
管理在便携式和电池供电产品。
TM
特点
-7A ， -60V ，R
DS （ ON）
= 0.41 @V
GS
= -10 V
低栅极电荷（典型值6.3 NC）
低的Crss （典型25 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
175°C最高结温额定值
D
G
!
G
S
!
●
●
▲
●
S
D
2
-PAK
FQB系列
摹 S
I
2
-PAK
FQI系列
!
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQB7P06 / FQI7P06
-60
-7.0
-4.95
-28
±
25
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C) *
90
-7.0
4.5
-7.0
3.75
45
0.3
-55到+175
300
T
J
, T
英镑
T
L
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境*
热阻，结到环境
典型值
--
--
--
最大
3.35
40
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）
2001仙童半导体公司
修订版A2 。 2001年5月
