FQB9N08 / FQI9N08
典型特征
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
1
175℃
10
0
25℃
-55℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 30V
2. 250 ？脉冲测试
s
10
0
※
注意事项：
1. 250 ？脉冲测试
s
2. T
C
= 25℃
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
1.0
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
0.8
V
GS
= 10V
0.6
V
GS
= 20V
0.4
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
10
0
0.2
※
注：t
J
= 25℃
175℃
-1
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250 ？脉冲测试
s
0.0
0
4
8
12
16
20
24
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
500
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
400
10
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
V
GS
，栅源电压[V]
8
电容[ pF的]
300
※
注意事项：
C
国际空间站
200
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
6
C
OSS
4
100
C
RSS
0
-1
10
2
※
注：我
D
= 9.3A
0
10
0
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
2000仙童半导体国际
修订版A2 ， 2000年12月
