双电源
1
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
ADG658/ADG659–SPECIFICATIONS
DD
= +5 V ±10%, V
SS
= -5V ±10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。 ）
B版本
–40C
至+ 85°C
版本
–40C
至+ 125°C
V
SS
到V
DD
90
3.2
17
100
3.5
18
+25C
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
测试条件/评论
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= –4.5 V
V
S
= -4.5 V，I
S
= 1毫安;
测试电路1
V
S
= 3.5 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V;
V
S
= -3 V，I
S
= 1毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
4.5
V;
测试电路2
V
D
= ±4.5 V, V
S
=
4.5
V;
测试电路3
V
D
= V
S
= ± 4.5 V ;测试电路4
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
(
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG658
ADG659
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG658
ADG659
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
TRANS
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
45
75
1.3
3
10
16
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.1
±0.005
±0.2
±0.1
±5
±5
±2.5
±5
±2.5
2.4
0.8
0.005
±1
2
80
115
80
115
30
45
50
2
4
–90
V
IN
= V
INL
或V
INH
140
140
50
165
165
55
10
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ;测试电路7
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 3 V ;测试电路6
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路8
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路9
总谐波失真， THD + N
通道到通道的串扰
(ADG659)
-3 dB带宽
ADG658
ADG659
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG658
ADG659
C
D
, C
S
（上）
ADG658
ADG659
电源要求
I
DD
I
SS
0.025
–90
210
400
4
23
12
28
16
0.01
1
0.01
1
％ （典型值）
dB典型值
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
R
L
= 600
,
2 V P-P ，
F = 20赫兹到20千赫兹
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的，
F = 1兆赫;测试电路11
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的;
测试电路10
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= –5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
数字输入= 0 V或5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。 版本： -40 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
