FQS4900
2000年8月
QFET
FQS4900
双N & P沟道逻辑电平MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型电源
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。此设备是井
适合于在电话机上高的界面。
TM
特点
N通道1.3A ， 60V ，R
DS （ ON）
= 0.55
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.65
@ V
GS
= 5 V
P沟道-0.3A ， -300V ，R
DS （ ON）
= 15.5
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 16
@ V
GS
=- 5 V
低栅极电荷（典型的N沟道1.6 NC ）
（典型的P沟道3.6 NC ）
快速开关
改进dv / dt能力
5
!
!
4
" ！
!
!
D2
D2
D1
D1
6
3
G2
S2
G1
S1
7
!
!
2
#
$
!
!
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
A
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
A
= 70°C)
漏个当前
- 脉冲
（注1 ）
N沟道
60
1.3
0.82
5.2
±
20
（注2 ）
P沟道
-300
-0.3
-0.19
-1.2
4.5
2.0
1.3
单位
V
A
A
A
V
V / ns的
W
W
°C
栅源电压
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
A
= 25°C)
(T
A
= 70°C)
工作和存储温度范围
7.0
-55到+150
热特性
符号
R
θJA
参数
热阻，结到环境
典型值
--
最大
62.5
单位
° C / W
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年8月
