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FL灰
命名TwinFlash
组件
小轮
33
DS
512
80
0
A
T
C
（例）
温度范围
包
C
T
=
=
商用（0 °C - + 70 ° C）
TSOP I 48 -P- 1220-0.5
工艺技术
A
B
0
2
80
512
1G
DS
33
31
小轮
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
170 nm工艺技术
170纳米工艺技术（增强型写入速度）
标准产品（带&卷轴包装）
堆叠芯片（带&卷轴包装）
x8
512 MB
1024 MB
数据SLC ： TwinFlash单级单元（ 2位/单元）
3.3 V核心和3V I / O
3.3 V内核和1.8 V的I / O
闪存组件
产品差异化
组织
存储密度
内存类型
供应和
I / O电压
PREFIX
TwinFlash
组件
密度
组织
PAGE SIZE
BLOCK SIZE
CORE
电压
I / O
电压
写
速度
销售
描述
订购代码
包
512 MB
64男×8
512 + 16字节
16 K + 512字节
3V
3V
3V
1.8 V
正常
增强
增强
HYF33DS512800ATC
HYF33DS512800BTC
HYF31DS512800BTC
根据要求
P-TSOPI-48
1 GB
128米乘八
512 + 16字节
16 K + 512字节
3V
3V
3V
1.8 V
正常
增强
增强
HYF33DS1G802ATC
HYF33DS1G802BTC
HYF31DS1G802BTC
根据要求
P-TSOPI-48
FL灰
25
专业的DRAM
DRAM模块
DRAM组件
