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字节宽的SMART 5 FlashFile Memory系列
为了保护编程数据,每个块都可以
锁定。此块锁定机构采用的是
位,块锁定位和主组合
锁位,以锁定和解锁各个块。该
块锁定位门块擦除和编程
操作,而主锁位的门阻断
锁位的配置操作。锁定位config-
uration操作(设置块锁定位,设置主
锁定位,并清除块锁定位指令)集
并明确锁定位。
状态寄存器和RY / BY #输出指示
所述装置是否正在执行或
准备好一个新的指令。轮询状态
注册,系统软件检索WSM反馈。
该RY / BY #输出提供了一个额外指标
通过提供硬件状态信号WSM活动。
如状态寄存器, RY / BY # - 低说明
在WSM的执行块擦除,编程,或
锁定位配置。 RY / BY # - 高说明
在WSM是准备好一个新的指令,块擦除
已暂停(和程序是无效的) ,程序
暂停或设备处于深度掉电
模式。
自动省电( APS )功能
实质上降低有功电流时的
设备处于静态模式(地址不切换) 。
在APS模式,典型的我
CCR
电流为1毫安。
当CE #和RP #引脚在V
CC
中,
组件进入的CMOS待机模式。驾驶
RP #到GND实现了深度掉电模式
其中显著降低功耗,
提供写保护,复位装置,和
清除状态寄存器。复位时间(t
PHQV
)是
从RP #转换为高电平,直到输出要求
有效的。同样地,该装置具有一个唤醒时间(t
PHEL
)
从RP # - 高,直到写入到崔的
认可。
1.3
引脚排列和引脚说明
该系列设备是40引脚TSOP提供
(薄小外形封装,1.2毫米厚),并
44引脚PSOP (塑料小外形封装) 。
引脚分布示于图2和图3 。
DQ
0
- DQ
7
产量
卜FF器
输入
卜FF器
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
I / O逻辑
V
CC
CE#
WE#
OE #
RP #
数据
比较
4 - Mbit的:一个
0
- A
18
,
8 - Mbit的:一个
0
- A
19
,
16 - Mbit的:一个
0
- A
20
输入
卜FF器
Y
解码器
门控
写状态
RY / BY #
编程/擦除
高压开关
V
PP
地址
LATCH
X
解码器
4兆位:八
8兆位:16
16兆位:32
64字节块
V
CC
GND
地址
计数器
图1.框图
6
产品预览

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