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字节宽的SMART 5 FlashFile Memory系列
6.2.6
商业级温度交流特性 - 写操作
(1,2)
商业级温度写入操作
4,8 ，和16 Mbit的智能5 FlashFile 记忆在T
A
= 0 ° C至+ 70°C
版本
(4)
E
最大
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
ns
ns
ns
5V ± 5%,
适用于所有
5V ± 10% V
CC
速度
单位
参数
注释最小值
3
7
7
4
4
1
0
50
40
40
0
5
5
8
3
3
25
100
100
0
#
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W10
W11
W12
W13
W14
W15
符号
t
PHWL
(t
PHEL
)
t
ELWL
(t
WLEL
)
t
WP
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHEH
(t
EHWH
)
t
WHDX
(t
EHDX
)
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
WPH
RP ＃高价回收到WE＃ （ CE ＃ ）走出低
CE ＃ （ WE＃ ）设置为WE＃ （ CE ＃ ）走出低
把脉冲宽度
数据建立到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
地址设置到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
CE ＃ （ WE＃ ）持有WE＃ （ CE ＃ ）高
数据保持在WE＃ （ CE ＃ ）高
我们从地址保持＃ （ CE ＃ ）高
写脉冲宽高
t
PHHWH
(t
PHHEH
） RP ＃ V
HH
安装到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
t
VPWH
(t
VPEH
)
t
WHGL
(t
EHGL
)
t
WHRL
(t
EHRL
)
t
QVPH
t
QVVL
V
PP
安装到WE＃ （ CE ＃ ）变为高电平
之前读写恢复
WE＃ （ CE ＃ ）高到RY / BY ＃去低
RP ＃ V
HH
从有效SRD ， RY保持/ BY ＃高
V
PP
从有效SRD ， RY保持/ BY ＃高
3,5
3,5
0
0
注意事项：
在块擦除，编程和锁定位配置操作1.读取时序特性是相同的过程
只读操作。请参见AC特性进行只读操作。
2.写操作可以启动和终止CE＃或WE＃ 。
3.采样，而不是100 ％测试。
4.请参阅表3为有效的A
IN
和D
IN
块擦除，编程或锁定位配置。
5. V
PP
应在V举行
PPH1/2
（如果必要的RP ＃应在V保持
HH
），直到确定的块擦除，编程或
锁定位配置成功（ SR.1 / 3 /4/5 = 0）。
6.请参阅设备的速度订货信息（有效操作的组合） 。
7.把脉冲宽度（T
WP
）从CE＃定义或WE ＃变低（取变低为止） ，以CE ＃或WE ＃变为高电平
（取高电平在前） 。因此，T
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
。如果CE＃驱动为低电平10 ns的前WE＃变低，
WE＃脉冲宽度要求降低到t
WP
- 20纳秒。
8.把脉冲宽度高（T
WPH
）从CE＃定义或WE ＃变高（取变高第一），以CE ＃或WE ＃变低
（取其变低为止） 。因此，T
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
32
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