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128M同步DRAM
M2V28S20ATP -6 ， -6L ， -7 ， -7L ， -8 ， -8L
十一月'99
M2V28S30ATP -6 ， -6L ， -7 ， -7L ， -8 ， -8L
三菱的LSI
M2V28S40ATP -6 ， -6L ， -7 ， -7L ， -8 ， -8L
SDRAM （修订版1.0E ）
（ 4 - X银行8,388,608 - WORD ×4位）
（ 4 - X银行4,194,304 - WORD ×8位）
（ 4 - X银行2,097,152 - WORD ×16位）
初步
一些内容描述了用于一般的产品是
如有更改，恕不另行通知。
描述
M2V28S20ATP组织为4 - X银行8,388,608字×4位同步DRAM与LVTTL
接口和M2V28S30ATP被组织为4 - X银行4,194,304字×8位和M2V28S40ATP被组织
作为4 - X银行2,097,152字×16位。所有输入和输出都参考CLK的上升沿。
M2V28S20ATP ， M2V28S30ATP ， M2V28S40ATP实现了高达133MHz的超高速数据传输速率，
并适用于主存储器或图形存储器中的计算机系统。
特点
M2V28S20/30/40ATP
项
TCLK
tRAS的
tRCD的
TAC
TRC
Icc1
时钟周期时间
行到列延迟
从CLK访问时间
REF /主动命令时期
工作电流
（ MAX 。 ）
（单银行）
（ MAX 。 ）
（分）
（分）
（分）
（最大值） （ CL = 3 ）
（分）
V28S20
V28S30
V28S40
Icc6
自刷新电流
-6
7.5ns
45ns
20ns
5.4ns
67.5ns
100mA
110mA
130mA
2mA
-7
10ns
50ns
20ns
6ns
70ns
95mA
100mA
120mA
2mA
-8
10ns
50ns
20ns
6ns
70ns
95mA
100mA
120mA
2mA
主动到预充电命令期
- 单3.3V ± 0.3V电源
- 最大。时钟频率
-6： PC133<3-3-3> / -7 ： PC100<2-2-2> / -8 ： PC100<3-2-2>
- 完全同步操作参考时钟上升沿
- 由BA0控制的4 -银行操作， BA1 （银行地址）
- / CAS延时： 2/3 （可编程）
- 突发长度 - 1/2/ 4/8 / FP （可编程）
- 突发类型 - 顺序和交错爆裂（可编程）
- 字节控制 - DQML和DQMU （ M2V28S40ATP ）
- 随机接入列
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 自动和自刷新
- 4096刷新周期/ 64ms的
- LVTTL接口
- 包
M2V28S20ATP/30ATP/40ATP
400万， 54引脚薄型小外形封装（ TSOP II ） ，具有0.8mm引脚间距
三菱电机
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