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字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列
E
地址
X
X
X
X
SEE
图5
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
DQ
0–7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
注5
D
IN
RY / BY ＃
X
X
X
V
OH
V
OH
X
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
表2.公交车运营
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
读取识别码
写
注意事项：
1.参考
直流特性。
当V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容可以被读取，但不被改变。
2. X可以是V
IL
或V
IH
为控制和地址输入管脚和第五
PPLK
或V
PPH1/2
对于V
PP
。看
DC特性
对于V
PPLK
和
V
PPH1/2
电压。
3. RY / BY ＃为V
OL
当WSM正在执行内部块擦除，编程或锁定位配置算法。它是V
OH
当WSM不忙，块擦除挂起，程序暂停或深度掉电模式。
4. RP ＃在GND ± 0.2 V保证最低深度掉电电流。
读识别码数据5.见4.2节。
6.命令将包括块擦除，编程或锁定位配置可靠地执行时， V = V
PPH1/2
和
PP
V
CC
= V
CC2
（见第6.2节的操作条件） 。
7.请参阅表3为有效D
IN
在写操作。
笔记
1,2,3
3
3
4
RP ＃
V
IH
or
V
HH
V
IH
or
V
HH
V
IH
or
V
HH
V
IL
V
IH
or
V
HH
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IH
WE＃
3,6,7
V
IH
or
V
HH
14
初步
