HGTD8P50G1,
HGTD8P50G1S
1997年3月
图8A ，500V P沟道IGBT的
包
JEDEC TO- 251AA
辐射源
集热器
门
特点
8A ， 500V
3.7V V
CE （ SAT ）
典型下降时间 - 1800ns
高输入阻抗
T
J
= +150
o
C
（法兰）
集热器
描述
该HGTD8P50G1和HGTD8P50G1S是P沟道
增强型的绝缘栅双极晶体管（IGBT）
设计用于高电压，低导通损耗等应用
开关稳压器和电机驱动器。这种P沟道IGBT
可以用N沟道IGBT的配对，以形成互补
电源开关，它是理想的半桥电路CON连接gurations 。
这些类型可以直接从低功耗集成操作
电路。
包装供货情况
产品型号
HGTD8P50G1
HGTD8P50G1S
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
G8P50G
G8P50G
G
JEDEC TO- 252AA
（法兰）
集热器
门
辐射源
符号
C
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGTD8P50G1S9A.
这些器件的开发型号为TA49015 。
E
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTD8P50G1/G1S
-500
10
-12
-8
-18
±20
±30
-3
-18
66
0.53
-40到+150
+260
单位
V
V
A
A
A
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
集电极 - 发射极击穿电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
发射极 - 集电极击穿电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
ECS
连续集电极电流
在T
C
= +25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= +90
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C90
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关SOA在T
C
= +25
o
C，V
CL
= -350V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
无缓冲，如图17 - 电路1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
用0.1μF电容，如图17 - 电路2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（ 0.125"案件从5秒）
注意：
1. T
J
= 25
o
C，V
CL
= 350V ，R
GE
= 25Ω ，如图17 - 电路如图2（C
1
= 0.1F)
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
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版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3649.3
1
