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PD178P018
CMOS设备的注释
1 ESD防护措施用于半导体
注：强电场作用下，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏的
栅氧化层，从而影响设备的运行。步骤必须
采取停止产生静电尽可能，并迅速
消散一次，发生时。
环境控制必须是
足够。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议避免
使用绝缘体，因为它们容易产生静电。半导体器件
必须存放在防静电容器运输，静电屏蔽袋
或导电材料。所有的测试和测量工具包括工作台
和地板应接地。操作员应当手腕接地
表带。半导体器件不能用手直接接触。类似
预防措施需要采取的PW板与半导体设备。
2操作处置未使用的输入引脚的CMOS
注： CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果没有
连接被设置到输入引脚，它可能是一个内部输入电平
可能由于噪声等产生的，从而导致误操作。 CMOS器件
操作特性与Bipolar或NMOS器件。 CMOS器件的输入电平
必须是固定的高或低的通过使用上拉或下拉电路。每一个未使用
引脚应连接到V
DD
或GND之间的电阻，如果它被认为是有
被输出引脚的可能性。所有处理与未使用的引脚必须
通过设备和相关的规范说明设备来判断设备。
3初始化之前的状态的MOS器件
注：上电并不能确定MOS设备的初始状态。生产
MOS的方法不限定该装置的初始操作状态。
紧接之后的电源被接通时，具有复位功能的设备
还没有被初始化。因此，上电不能保证输出引脚
平，I / O设置和寄存器的内容。设备直到初始化
接收复位信号。复位操作后必须立即执行
电具有复位功能的设备。
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