STP8NM50
STP8NM50FP
N沟道500V - 0.7Ω - 8A TO- 220 / TO- 220FP
的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STP8NM50
STP8NM50FP
n
n
n
n
n
V
DSS
500V
500V
R
DS （ ON）
< 0.8Ω
< 0.8Ω
I
D
8A
8A
典型
DS
（上） = 0.7Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
3
1
2
1
3
2
TO-220
TO-220FP
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
即对同类竞争产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高压变频器允许的功率密度
系统的小型化和更高的效率。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的
V
ISO
T
英镑
T
j
2002年8月
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-65到150
（*）限定仅由最大允许温度
价值
STP8NM50
500
500
±30
5
3.1
20
120
0.4
15
2500
5 (*)
3.1 (*)
20 (*)
30
STP8NM50FP
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1/9
