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128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM的3.3V
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
从CLK （上升沿）访问时间CL = 3
从CLK （上升沿）访问时间CL = 2
地址保持时间
地址建立时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
时钟周期时间CL = 3
时钟周期时间CL = 2
CKE保持时间
CKE建立时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM保持时间
CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ， DQM建立时间
数据保持时间
数据的建立时间
数据输出高阻抗时间
数据输出低阻抗时间
数据输出保持时间
主动到预充电命令期
自动刷新为ACTIVE命令期
ACTIVE读取或写入延迟
刷新周期（ 4096次）
预充电命令期
ACTIVE A银行向B银行指令周期
转换时间
写恢复时间
退出自刷新为ACTIVE命令
读/写命令到读/写命令
CKE到时钟禁用或掉电输入模式
CKE时钟使能或关闭电源退出设置
符号
TAC
TAC
TAH
TAS
总胆固醇
TCL
TCK
TCK
tCKH
第三文化孩子
tCMH
中药
TDH
TDS
太赫兹
TLZ
TOH
tRAS的
TRC
tRCD的
TREF
激进党
TRRD
tT
tWR的
TXSR
TCCD
tCKED
TPED
-75A
民
-75A
最大
5.4
不适用
-8A
民
-8A
最大
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
0.8
1.5
2.5
2.5
7.5
不适用
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
9
1
2.7
44
60
22.5
22.5
15
0.3
20
8
1
1
1
1
2
3
3
10
1
2
1
2
1
2
9
2
3
50
80
30
30
20
0.3
20
8
1
1
1
4
16K
16K
64
64
2
2
3
1
2
2
AC电气特性：
VDD = 3.3V
±
10 ％V ，温度。 = 25° 70 ℃下
AC特性
参数
DQM输入数据延迟
WRITE命令来输入数据延迟
数据中，以激活命令W /自动预充电
数据进行预充电
最后的数据到预充电命令
加载模式寄存器命令，命令
数据输出，从预充电高阻
符号
tDQD
Tdwd
tDAL
tDPL
TRDL
超过tMRD
Troh
-75A
民
0
0
5
2
2
2
3
-75A
最大
-8
民
0
0
5
2
2
2
3
-8
最大
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
笔记
1
1
3
2, 3
1
1
1
注意事项：
需要由JEDEC功能指定，并且不依赖于任何定时参数1.时钟。
2.定时实际上由第三文化孩子，指定为仅在最小周期率的基准时钟（多个）指定。
3.时序实际上是由指定为仅在最小循环速率的参考tWR的加tRP的时钟（多个）指定。
4.太赫兹限定在其中的输出达到开路状态的时间;它不是一个引用的Voh或卷。最后一个有效数据
临睡前高Z元素将满足TOH 。
5.基于TCK = 10ns的为-8和TCK = 7.5ns的-75a
PDF ： 09005aef807827f6 /来源： 09005aef807825bd
128Mb的SDRAM
冯： 2004年11月29日
4
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