位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2874页 > M368L3223CTL-CB3 > M368L3223CTL-CB3 PDF资料 > M368L3223CTL-CB3 PDF资料1第2页

M368L3223CTL
修订历史
修订0 ( 2001年10月)
1.首先释放内部使用
184PIN无缓冲DDR SDRAM模块
版本0.1 ( 2001年11月)
- 修订"Absolute最大rating"表中第38页。
。改变"Voltage供应相对VSS"值VDDQ -0.5 3.6V为-1 3.6V
。改变了"power dissipation"值从8W到12W 。
- 修正AC参数表
从
DDR266A
分钟。
太赫兹
tACmin
-400ps
tACmin
-400ps
0.25
10ns
马克斯。
tACmax
-400ps
tACmax
-400ps
DDR266B
分钟。
tACmin
-400ps
tACmin
-400ps
0.25
10ns
马克斯。
tACmax
-400ps
tACmax
-400ps
DDR200
分钟。
tACmin
-400ps
tACmin
-400ps
0.25
10ns
马克斯。
tACmax
-400ps
tACmax
-400ps
DDR266A
分钟。
-0.75
马克斯。
+0.75
To
DDR266B
分钟。
-0.75
马克斯。
+0.75
DDR200
分钟。
-0.8
马克斯。
+0.8
TLZ
tWPST
( TCK )
tPDEX
-0.75
+0.75
-0.75
+0.75
-0.8
+0.8
0.4
7.5ns
0.6
0.4
7.5ns
0.6
0.4
10ns
0.6
版本0.2 (月, 2002年)
1.增加了陷阱(主动阅读瓦特/ autoprecharge命令)
版本0.3 ( 2002年5月)
的A13从销103 1.更改引脚的位置,以销167
修订版0.3月。 2002年