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'97.3.21
三菱的LSI
M5M5V208FP,VP,RV,KV,KR
-70L , -85L, -10L , -12L,
-70LL, -85LL, -10LL, -12LL
2097152 - BIT （ 262144 -字×8位）的CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测定条件
.................................
VCC
输入脉冲电平
.............
输入上升和下降时间
.....
参考电平
...............
输出负载
...................
例（Ta = 070 ℃， Vcc的= 2.7 3.6V，除非另有说明）
1TTL
DQ
CL
INCLUDING
范围，夹具
图1输出负载
2.7 ~ 3.6V
V
IH
=2.2V,V
IL
=0.4V
5ns
V
OH
=V
OL
=1.5V
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
转变是从稳定的测量± 500mV的
态电压。 （十， TDIS ）
（ 2 ）读周期
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S
1
)
t
a
(S
2
)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S
1
)
t
DIS
(S
2
)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S
1
)
t
en
(S
2
)
t
en
（ OE）的
t
V
(A)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
输出启用访问时间
之后一下输出禁止时间
1
高
之后一下输出禁止时间
2
低
OE高后输出禁止时间
之后一下输出使能时间
1
低
之后一下输出使能时间
2
高
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
-70L,LL
最小最大
70
70
70
70
35
25
25
25
10
10
5
10
范围
-85L,LL
-10L,LL
最小值最大值最小值最大值
85
100
85
100
85
100
85
100
45
50
30
35
30
35
30
35
10
10
10
10
5
5
10
10
-12L,LL
最小最大
120
120
120
120
60
40
40
40
10
10
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（ 3 ）写周期
-70L,LL
最小最大
t
CW
写周期时间
70
t
w
(W)
把脉冲宽度
55
t
su
(A)
地址建立时间
0
t
su
（ A- WH ）
地址建立时间就为W 65
t
su
(S
1
)
芯片选择1设置时间
65
t
su
(S
2
)
芯片选择2建立时间
65
t
su
(D)
数据建立时间
30
t
h
(D)
数据保持时间
0
t
REC
(W)
写恢复时间
0
t
DIS
(W)
25
与W的低输出禁止时间
t
DIS
（ OE）的
从OE高输出禁止时间
25
t
en
(W)
输出使能与W的时候
5
t
en
（ OE）的
5
从OE低输出使能时间
符号
参数
范围
-85L,LL
-10L,LL
最小值最大值最小值最大值
85
100
60
75
0
0
70
85
70
85
70
85
35
40
0
0
0
0
30
35
30
35
5
5
5
5
-12L,LL
最小最大
120
85
0
100
100
100
45
0
0
40
40
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
4
