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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
1.0
介绍
该数据表包含了规格为3伏高级启动区块快闪记忆体
家庭，这是专为低功耗便携式系统进行了优化。该系列产品的特点
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V的I / O和低V
CC
/V
PP
经营范围为2.7 V ， 3.6 V读，
程序，以及擦除操作。此外，该系列能够快速编程的12 V.
在本文档中，术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围：2.7 V - 3.6 V （除
另有说明）和“V
PP
= 12 V “指的是12伏±5％。第1.0节和2.0提供
概述闪存系列包括应用程序，引脚和引脚功能描述。部分
3.0描述了记忆的组织和运作这些产品。部分4.0和5.0
包含的操作规范。最后，第6.0和7.0提供订货等
参考信息。
在3伏高级启动区块快闪记忆体的特点：
增强的阻挡对代码和数据或附加的设计灵活性容易分割
程序挂起读取命令
V
CCQ
1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入。参见图1至图4的引脚排列图和
V
CCQ
位置
最大的编程和擦除时间规范，以提高数据存储。
表1中。
3伏高级启动区块功能摘要
28F004B3
(2)
， 28F008B3 ，
28F016B3
28F400B3
(2)
， 28F800B3 ，
28F160B3 ， 28F320B3
(3)
,
28F640B3
参考
第4.2节，
第4.4节
第4.2节， 4.4
第4.2节， 4.4
16位
256千×16 （ 4兆位）
512千位×16 （ 8兆比特） ，
1024千位×16 （ 16兆） ，
2048千位×16 （ 32兆） ，
4096千位×16 （ 64兆）
表3
第4.5节
特征
V
CC
读取电压
V
CCQ
I / O电压
V
PP
编程/擦除电压
总线宽度
速度
8位
512千位×8 （ 4兆位）
1024千位×8 （ 8兆比特） ，
2048千位×8 （ 16兆位）
2.7 V– 3.6 V
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V
2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V
70纳秒， 80纳秒， 90纳秒，为100 ns ， 110 ns的
内存布局
第2.2节
阻塞（顶部或底部）
8个8字节的参数块
和
七64千字节块（ 4兆位）或
十五个64字节块（ 8兆比特）或
三十一64 KB的主块（ 16兆）
六十三的64 KB的主块（ 32兆）
百27 64 KB的主块（ 64兆）
WP ＃锁定/解锁参数块
使用V所有其他块保护
PP
扩展： -40
°C
+85
°C
100,000次
40引脚TSOP
(1)
,
48-Ball
μBGA *
CSP
(2)
48引脚TSOP ，
48-Ball
μBGA
CSP
(2)
,
48球BGA VF
(4)
第2.2节
附录C
锁定
工作温度
编程/擦除循环
套餐
第3.3节
表8
第4.2节， 4.4
第4.2节， 4.4
图3，图4
注意事项：
在40引脚TSOP不可用1. 32兆和64兆密度。
2.不可用4兆位密度
μBGA *
CSP 。
3. V
CC
Max是3.3 V的0.25微米32兆位的设备。
4.4-和64兆位密度不上48球VF BGA可用。
3UHOLPLQDU\
1
