E
符号
V
CCQ
V
CC
V
PP
智能3高级启动块
表2.智能3高级启动块引脚说明
（续）
TYPE
输入
名称和功能
输出电压V
CC
:
能使所有的输出被驱动至1.8伏 - 2.5伏，而
在V
CC
是在2.7 V - 3.3 V如果V
CC
调节到2.7 V ， 2.85 V ，V
CCQ
可在1.65 V - 2.5 V ，实现最低功耗运行驱动（见
第4.4节，
DC特性
.
该输入可直接连接到V
CC
(2.7 V–3.6 V).
器件电源：
2.7 V–3.6 V
编程/擦除电源：
供电方案
和擦除操作。 V
PP
可以是相同的V
CC
（ 2.7 V - 3.6 V）的
单电源电压工作。对于快速编程，在制造，
11.4 V- 12.6 V可以被供给到V
PP
。该引脚不能悬空。
采用11.4 V- 12.6 V到V
PP
只能为最多1000个完成
在主块循环和2500次循环的参数块。
V
PP
可被连接到12伏，总共最多支持80个小时（见
有关详细信息，参见3.4节） 。
V
PP
＆ LT ; V
PPLK
防止无意或存储器内容
意想不到的编程和擦除命令。
GND
NC
地面：
对于所有内部电路。所有输入接地
必须
be
连接。
无连接：
引脚可被驱动或悬空。
2.2
块组织
2.2.2
主要模块
智能3高级启动块是
非对称封闭架构，使
在一个单一的系统集成的代码和数据
闪光装置。每个块可以被擦除
独立于其他高达100,000倍。
对于每个块的地址单元，请参见
附录D存储器映射
2.2.1
参数块
该参数块之后，对其余
阵列被划分为大小相等的主块（ 65,536
字节/ 32768字）的数据或代码存储器。该
4 - Mbit的器件包含七个主要模块; 8兆位
器件包含15块为主; 16兆位闪存
有31块为主; 32 - Mbit的有63
主要模块。
3.0
操作原理
智能3高级启动区块快闪记忆体
架构包括参数块，以方便
存储频繁更新的小参数
（例如，将通常被存储在数据
EEPROM）中。通过使用软件技术中，字处理
EEPROM的重写功能可以效仿。
每个器件内置的8块参数
8千字节/ 4 - K字（ 8192字节/ 4096字）每个。
快闪记忆体结合EEPROM功能
在电路中的电编程和擦除
能力。智能3高级启动块闪存
内存系列采用命令的用户界面
（ CUI） ，并自动算法来简化程序
和擦除操作。崔允许100 ％
CMOS电平的控制输入和固定电源
在擦除和编程。
初步
11
