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CAT28F001
1兆位的CMOS引导块闪存
特点
s
快速读取访问时间： 70/90/120/150 NS
s
芯片上地址和数据锁存器
s
封锁架构
英特尔授权
第二个来源
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深掉电模式
s
s
s
s
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- 一个8 KB的引导块W /上锁
顶部或底部位置
- 两个4 KB参数块
- 一个112 KB的主座
低功耗CMOS操作
12.0V
±
5％的编程和擦除电压
自动程序&擦除算法
高速编程
商用，工业和汽车
温度范围
s
s
s
s
s
— 0.05
A I
CC
典型
— 0.8
A I
PP
典型
硬件数据保护
电子签名
100000编程/擦除周期和10年
数据保留
JEDEC标准管脚引出线：
- 32引脚DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
复位/深度掉电模式
描述
该CAT28F001是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统或售后应用
代码更新。
该CAT28F001有一个8阻塞架构
KB引导块，两个4 KB参数块和一个112
KB的主座。引导块部分可以是在顶部
或存储器映射的底部，并包括reprogram-
明写锁定功能，以保证数据的完整性。它
旨在遏制安全的代码，会弹出
系统最小和代码下载到其他某些地区可能
系统蒸发散CAT28F001的。
该CAT28F001被设计为具有签名模式
其允许识别出IC制造商的用户和
设备类型。该CAT28F001还设计有导通
芯片地址锁存器，数据锁存器，编程和
擦除算法。
该CAT28F001使用Catalyst的AD-制造
vanced CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， PLCC和TSOP封装。
框图
I/O0–I/O7
地址
计数器
I / O缓冲器
写状态
机
RP
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
比较
擦除电压
开关
状态
注册
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
8K字节的引导块
4K字节的参数块
4K字节的参数块
112K字节的主BLOCK
28F001 F01
A0–A16
电压以确认
开关
X解码器
1998年由Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
文档。第25071-00 2/98 F- 1
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