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TC58DVM72A1FT00 / TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00 / TC58DAM72F1FT00
原理图元布局和地址分配
程序运行适用于页面单位，而擦除操作适用于块为单位。
I/O1
512
16
I/O8
一个页面包含在其中512个字节用于528个字节
对主存储器的存储和16个字节是冗余
或用于其他用途。
第1页528个字节
1块528字节32页（ 16K 512 ）字节
容量528字节32页1024块
32页
32768页
1024块
1座
8I/O
528
图2.原理细胞布局
I/O1
256
8
I/O16
一个页面由264字，其中256字都
用于主存储器的存储和8个字是用于
冗余或用于其他用途。
第1页264字
1块264字32页（ 8K 256 ）字
容量264字32页1024块
32页
32768页
1024块
1座
16I/O
264
图2-2 。 X16电池原理布局
一个地址是通过在三个I / O端口读取
连续的时钟周期，如表1所示。
表1.解决
I/O8
第一个周期
第二个周期
第三个周期
A7
A16
*L
I/O7
A6
A15
A23
I/O6
A5
A14
A22
I/O5
A4
A13
A21
I/O4
A3
A12
A20
I/O3
A2
A11
A19
I/O2
A1
A10
A18
I/O1
A0
A9
A17
A0~A7:
A9~A23:
A14~A23:
A9~A13:
列地址
页面地址
块地址
在NAND块地址
*
： A8会自动设置为低或高由00H命令或01H命令。
I / O9-16应该是低时，地址输入。
*
的I / O8必须在第三个周期中被设置为低。
2003-01-24
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