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三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA20H8994M
框图
896-902 / 935-941MHz 20W 12.5V ， 3级放大器。对于移动电
描述
该RA20H8994M是一个20瓦的射频MOSFET放大器模块
12.5伏的工作在896-到941 - MHz的移动无线电
范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围4V （最低），输出功率和漏电流的栅极电压
大幅增加。标称输出功率变
可在4.5V （典型值）和5V （最大） 。在V
GG
= 5V时，
典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>20W,
η
T
>25 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 896-902 / 935-941MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
订货信息：
订单号
RA20H8994M-E01
RA20H8994M-01
（日本 - 包装无干燥器）
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA20H8994M
三菱电机
1/9
2003年4月25日
